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靶材 - 應用領域
發布者：管理員 發布時間：2013-05-08 10:31:11 瀏覽次數：3653
眾所周知，靶材材料的技術發展趨勢與下游應用 產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在
薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變 化。如Ic制造商．最近致力于低電阻率銅布線的開發， 預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的屯腦顯示器及電視機市場．亦將人幅增 加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫 光盤的需求持 續增加． 這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域，以及這些領域靶材發展的趨勢。
溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下 得到比較純的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近純的 I T O薄膜 的電阻率。F P D和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ ，為了提高靶材的利用率，開發 了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家 發展計劃委員會、科學技術部在 《 當前優先發展的信 息產業重點領域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。廣西 柳州華錫公司和寧夏九0五集團已完成了ⅡD靶材的研究工作 ，即將投入生產。
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。江西科泰新材料有限公司經研發的GeSbTe平面靶材，最大直徑能做到355毫米。
薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變 化。如Ic制造商．最近致力于低電阻率銅布線的開發， 預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的屯腦顯示器及電視機市場．亦將人幅增 加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫 光盤的需求持 續增加． 這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域，以及這些領域靶材發展的趨勢。
2.1微電子領域
2.2平面顯示器用靶材
溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下 得到比較純的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近純的 I T O薄膜 的電阻率。F P D和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ ，為了提高靶材的利用率，開發 了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家 發展計劃委員會、科學技術部在 《 當前優先發展的信 息產業重點領域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。廣西 柳州華錫公司和寧夏九0五集團已完成了ⅡD靶材的研究工作 ，即將投入生產。
2. 3存儲技術用靶材
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。江西科泰新材料有限公司經研發的GeSbTe平面靶材，最大直徑能做到355毫米。
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